Samsung: Chip processo di fabbricazione a 3 nanometri

Samsung ha recentemente dichiarato che i suoi chip avranno un processo di fabbricazione a 3 nanometri (nm). Prima di arrivarci però, saranno rilasciati i nuovi chip da 10 nm e poi da 7 nm. Non è ancora disponibile nessun dettaglio sul processo produttivo a 3 nm.

Processo di fabbricazione 7LPP (Low Power Plus)

Nel 2018, si suppone nella seconda metà, Samsung inizierà a realizzare i suoi chip con il processo di fabbricazione 7LPP (7 nm) Low Power Plus che saranno basati sulla litografia EUV. La Samsung è una nota leader mondiale nel campo della tecnologia avanzata, soprattutto per quanto riguarda i semiconduttori.

Samsung: Chip processo di fabbricazione a 3 nanometri

Samsung 850 EVO – Modello M.2

Samsung vuole arrivare fino ai 3 nanometri (nm) per i suoi chip con il risultato di prodotti ancor più potenti ma molto più efficienti dal punto di vista del risparmio energetico.

Futuri chip e loro processo di fabbricazione Samsung

  • 7LPP (7nm Low Power Plus): La prima tecnologia di processo a semiconduttori per l’utilizzo di una soluzione di litografia EUV. Samsung dovrebbe essere pronta per questa tecnologia nella seconda metà di quest’anno.
  • 5LPE (5nm Low Power Early): Evoluzione del processo di fabbricazione 7LPP. 5LPE consentirà maggiori vantaggi di potenza e consumi energetici ancor più ridotti.
  • 4LPE / LPP (4nm Low Power Early / Plus): Ultima generazione FinFET a 4nm che fornisce una dimensione delle cella più piccole.
  • 3GAAE / GAAP (3nm Gate-All-Around Early / Plus): Processo di fabbricazione a 3 nm che supererà i limiti fisici di scalabilità e di prestazioni dell’architettura FinFET.

I chip di Samsung con processo di fabbricazione a 4 nanometri continueranno ad utilizzare i transistor FinFET. Prima di arrivare ad utilizzare i chip di Samsung a 3 nanometri, si suppone che dovremo aspettare almeno fino al 2020. Sarà molto interessante sapere in futuro quali saranno le effettive migliorie in termini di prestazioni sugli SSD.

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