Memoria flash NAND

La memoria flash NAND è un supporto di archiviazione non-volatile del computer che può essere cancellata e riprogrammata elettricamente. Viene introdotta da Toshiba nel 1984, questa memoria flash è EEPROM (memoria cancellabile elettricamente a sola lettura programmabile).

Memoria chiavetta USB

Questa memoria flash viene comunemente anche chiamata “flash memory”, ed è un tipo di memoria a stato solido. Il tipo di questa memoria è “non volatile”. Grazie alle sue elevate prestazioni, viene usata come memoria per la lettura e per la scrittura. Nel caso in cui i produttori la utilizzino come ROM, viene chiamata “flash ROM”.

La memoria flash NAND

Ci sono due tipi principali di memoria flash che prendono il nome di NAND e NOR. Il tipo di memoria NAND è utilizzata soprattutto per la memoria principale, come schede di memoria, nelle unità flash USB e nelle unità a stato solido (quelli prodotti nel 2009 o più tardi). Viene utilizzata anche nei prodotti simili per l’archiviazione dei dati in generale e per il trasferimento dei dati. All’inizio, le celle di memoria memorizzavano solo un singolo Bit di informazioni. Tuttavia, la carica sul gate flottante può essere controllata con un certo livello di precisione, consentendo la memorizzazione di informazioni di soli 0 e 1. Per poter distinguere il vecchio tipo di memoria flash, è stata chiamata SLC (Single Level Cell). La decisione di scegliere tra SLC e MLC è guidata da molti fattori quali le prestazioni della memoria, il numero di destinazione e il livello di affidabilità dei dati.

Memoria flash NAND
NAND

La resistenza della memoria flash NAND

La resistenza della memoria MLC è notevolmente inferiore (circa 10.000 cicli di cancellazione) rispetto alla memoria SLC (circa 100.000 cancellazioni). La memoria flash TLC (flash Level Cell) è un tipo di memoria a stato solido flash NAND che memorizza tre Bit di dati per cella sui supporti flash. Gli svantaggi di utilizzare la memoria TLC flash sono le prestazioni, l’affidabilità e la longevità. In generale, più Bit di dati della cella possiede, minore sarà il numero di cicli di scrittura che sosterrà. Le celle di memoria SLC sono in grado di sopportare fino a 100,000 cicli di scrittura prima di guastarsi. Una cella di memoria MLC 2 bit in genere può resistere fino a 10,000 cicli di scrittura prima di guastarsi.

Le celle

Una cella di memoria TLC è in grado di sostenere circa 1,000 cicli di scrittura prima di fallire, che è il motivo per cui finora si è limitato ad applicazioni di tipo consumer. Le memorie NAND a <= 25nm sono state progettate per essere più convenienti. La durata complessiva dei circuiti integrati è stata ridotta da 10,000 a 5,000 cicli di cancellazione. I numeri per il grado di consumo 20 / 25 nm di memoria flash NAND utilizzati su SSD sono ancor più bassi; 3,000 cicli di cancellazione. Tutti i calcoli a riguardo sono discutibili e teorici e differiscono dall’utilizzo e anche sulla quantità dello spazio libero del vostro SSD che può influenzare il dispositivo.

La capacità di archiviazione

I dispositivi di archiviazione flash di ultima generazione vengono offerti in commercio con tagli di capacità di archiviazione espressi in gigabyte. Se ad esempio, vogliamo acquistare un SSD da 64GB, la sua capacità di archiviazione sarà di 64 × 1000 3 byte (64 GB). Quindi, avremo un po ‘meno di capacità di archiviazione a disposizione per i file per via dello spazio richiesto dai metadati del file system. La capacità di archiviazione dichiarata di un SSD è quindi maggiore a quella effettiva a nostra disposizione. Veniamo quindi ad un “po ‘di storia”; La SanDisk e la Toshiba nel 2005 avevano sviluppato un chip flash NAND capace di memorizzare fino a 1GB di dati utilizzando le celle di tecnologia (MLC). In queste celle è stato possibile memorizzare due bit di dati per cella. La Samsung Electronics nel 2005 aveva annunciato di aver sviluppato il primo chip da 2GB.

SSD Samsung 850 EVO 2TB

SSD Samsung 850 EVO da ben 2TB

Nel marzo del 2006 le Samsung aveva annunciato la produzione di dispositivi di archiviazione con una capacità di 4GB, lo stesso ordine di grandezza di hard-disk più piccoli per computer portatile. Successivamente, nel settembre del 2006, la Samsung aveva annunciato un chip da 8GB prodotto con un processo produttivo a 40 nm. Due anni più tardi, nel gennaio del 2008, la SanDisk aveva annunciato la disponibilità dei loro MicroSDHC da 16 e 32GB. Solo dal 2012 i dispositivi di archiviazione flash hanno una maggiore capacità con tagli da 64, 128, e 256 GB. Nello scorso luglio 2016, la Samsung ha annunciato i suoi nuovi Samsung 850 EVO 4TB che utilizzano la memoria TLC 3D V-NAND. La Samsung ha intenzione di realizzare SSD con capacità di archiviazione sempre più superiori e sempre più veloci.

Infatti, nell’agosto del 2016, la Samsung ha annunciato di voler realizzare SSD che arriveranno ad una capacità di archiviazione in vari tagli fino a 100TB e che saranno commercializzati entro il 2020. Questi impressionanti modelli, saranno SSD sia SATA che M.2 e non solo avranno tagli impressionanti, ma saranno sempre più veloci.

Esempi di SSD Samsung:

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Autore e realizzatore del sito Tech Universe, appassionato di tecnologia ed internet. Realizzo recensioni per hardware PC, software e guide di informatica e per internet in genere.

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