Memoria flash NAND

La memoria flash NAND è un supporto di archiviazione non-volatile del computer che può essere cancellata e riprogrammata elettricamente. Viene introdotta da Toshiba nel 1984, questa memoria flash è EEPROM (memoria cancellabile elettricamente a sola lettura programmabile).

Memoria chiavetta USB

Questa memoria flash viene anche chiamata “flash memory”, ed è un tipo di memoria a stato solido. Il tipo di questa memoria è “non volatile”. Grazie alle sue prestazioni, viene usata come memoria per la lettura e per la scrittura. Nel caso in cui i produttori la utilizzino come ROM, viene chiamata “flash ROM”.

La memoria flash NAND

Ci sono due tipi principali di memoria flash, che prendono il nome NAND e NOR. Il tipo NAND è utilizzato soprattutto nella memoria principale, schede di memoria, unità flash USB, unità a stato solido (quelli prodotti nel 2009 o più tardi). Viene utilizzata anche nei prodotti simili per l’archiviazione dei dati in generale e per il trasferimento dei dati. All’inizio, le celle di memoria memorizzavano solo un singolo bit di informazione. Tuttavia, la carica sul gate flottante può essere controllata con un certo livello di precisione, consentendo la memorizzazione di informazioni di solo 0 e 1. Per distinguerli, il vecchio tipo di memoria flash è stata chiamata SLC (Single Level Cell). La decisione di scegliere tra SLC e MLC è guidata da molti fattori quali le prestazioni della memoria, il numero di destinazione e il livello di affidabilità dei dati.

Memoria flash NAND
NAND

La resistenza della memoria flash NAND

La resistenza della memoria MLC è notevolmente inferiore (circa 10.000 cicli di cancellazione / programmi) rispetto alla SLC (circa 100.000 cancellazione / cicli di programma). La memoria flash TLC (flash Level Cell tripla) è un tipo di memoria a stato solido flash NAND che memorizza tre bit di dati per cella sui supporti flash. Gli svantaggi di utilizzare il TLC flash sono le prestazioni, l’affidabilità e la longevità. In generale, più bit di dati della cella possiede, minore sarà il numero di cicli di scrittura che sosterrà. Le celle di memoria SLC sono in grado di sopportare fino a 100.000 cicli di scrittura prima di guastarsi. Una cella di memoria MLC 2 bit in genere può resistere fino a 10.000 cicli di scrittura prima di guastarsi.

Le celle

Una cella di memoria TLC è in grado di sostenere circa 1.000 cicli di scrittura prima di fallire, che è il motivo per cui finora si è limitato ad applicazioni di tipo consumer. Le memorie NAND a <= 25nm sono state progettate per essere più convenienti. La durata complessiva dei circuiti integrati è stata ridotta da 10.000 verso 5.000 di programmazione / cancellazione cicli. I numeri per il grado di consumo 20 / 25 nm di memoria flash NAND (utilizzati su SSD) sono ancor più bassi; 3.000 cicli di programma / cancellazione. Tutti i calcoli a riguardo sono discutibili e teorici e differiscono dall’utilizzo e anche sulla quantità dello spazio libero del vostro SSD che può influenzare l’unità.

Tipi di memoria NAND

Quando uscirono le prime memorie NAND, le celle di memoria memorizzavano solo un singolo bit di informazioni. La “vecchia” memoria che si utilizzava prima della NAND si chiamava SLC (Single Level Cell). La decisione di scegliere tra SLC e MLC è data da molti fattori quali le prestazioni della memoria, il numero di destinazioni, cicli, e il livello di affidabilità dei dati. La memoria MLC ha una resistenza significativamente più bassa rispetto a quella SLC. La memoria flash TLC è un tipo di memorizzazione di dati a stato solido di memoria NAND flash che memorizza tre bit di dati per cella. La memoria TLC è meno costosa della memoria flash a stato solido. Gli inconvenienti dell’utilizzo della memoria TLC sono le prestazioni, affidabilità e durata. La memoria TLC Flash ha una più bassa resistenza di scrittura rispetto sia alla SLC che alla MLC flash. Generalmente, più bit di dati una cella contiene, meno cicli di scrittura sosterrà. Le celle di memoria SLC sono in grado di sopportare fino a 100.000 cicli di scrittura prima di guastarsi. Una cella di memoria MLC in genere può resistere fino a 10.000 cicli di scrittura prima di guastarsi. Una cella di memoria TLC può sostenere circa 1.000 cicli di scrittura prima di fallire, che è il motivo per cui finora si è limitato l’utilizzo ad applicazioni di tipo consumer. La memoria 3D NAND utilizza un impilamento dei dati verticale in un singolo circuito integrato. Questo impilamento verticale ha diversi vantaggi: fornisce un rapporto tra capacità di dati più alto in uno spazio fisico più piccolo e migliora le prestazioni elettriche accorciando la lunghezza di interconnessione (Riduce anche il consumo di energia). Di conseguenza, abbiamo anche una continuata riduzione dei costi, dimensioni del die più piccoli e più capacità per i chip NAND.

Sistemi di archiviazione SSD NAND

Gli SSD che utilizzano la memoria flash NAND disponibili sul mercato sono veramente parecchi, ne abbiamo l’imbarazzo della scelta. Di seguito, una lista di recensioni sui sistemi di archiviazione dati SSD che utilizzano la memoria flash NAND:

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Esempi di SSD con memoria flash NAND

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Autore e realizzatore del sito Tech Universe, appassionato di tecnologia ed internet. Realizzo recensioni per hardware PC, software e guide di informatica e per internet in genere.
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